作者： Travis Scott, Finetech GmbH & Co. KG
摘要： 焦平面阵列（FPA）成像和探测器设备，如红外（IR）热成像传感器、量子计算处理器和micro-LED显示器，随着需要这些组件的更多实际应用进入研发、军事、工业和消费市场，对这些器件的要求也越来越高。
这与越来越大的芯片上更高的像素和量子位计数以及互连密度相关，推动了这些技术的融合以及单片集成。这也意味着对细间距微型铟凸点互连(IBI)倒装芯片键合的需求显著增加。
然而，这些技术面临的一些关键挑战是：更大的元件尺寸意味着在增加的表面积上更高的互连密度。需要亚微米精度来对准精细间距的微互连阵列。
这与正在成为这些应用的工业标准材料一起面临挑战，例如对组装部件在极端条件下保持稳定的要求，例如低温应用环境，以及对含有敏感材料部件的低损耗高强度机械/电气互连，结构和非匹配的热膨胀系数（CTE）要求，意味着气体处理工艺如甲酸工艺或高温回流工艺将不再适用于这些器件。这些挑战意味着该行业正在迅速接近当今市场上最先进的芯片键合设备和芯片键合方法的极限。
本文将重点介绍这些挑战以解决这些挑战的方法，使用符合当今行业要求的细间距微型铟凸点互连(IBI)技术，以生产大尺寸，高密度的红外(IR)热成像器件，量子处理器和micro-LED显示器。
